|
|
|
|
| LEADER |
02851nab a2200325 c 4500 |
| 001 |
vtls000661235 |
| 003 |
RU-ToGU |
| 005 |
20241016173257.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
190821|2018 ru s c rus d |
| 035 |
|
|
|a to000661235
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 100 |
1 |
|
|a Войцеховский, Александр Васильевич
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Особенности моделирования частотных зависимостей адмиттанса МДП-структуры на основе органической пленки P3HT с диэлектрическим слоем Al2O3
|c А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 36 назв.
|
| 506 |
|
|
|a Ограниченный доступ
|
| 520 |
3 |
|
|a Для режимов обеднения и обогащения предложены эквивалентные схемы МДП-структуры на основе органической тонкой пленки (P3HT) с диэлектриком Al2O3. Проведено моделирование частотных зависимостей емкости и проводимости органической МДП-структуры при температуре 300 К в диапазоне частот 20 Гц - 2 МГц. Показано, что измеряемые значения емкости и проводимости существенно зависят от толщины диэлектрического слоя, толщины и удельной проводимости органической пленки, параметров поверхностных ловушек, частоты и напряжения смещения. Описаны способы определения значений основных элементов эквивалентной схемы для корректной характеризации ловушек на границе раздела неорганический диэлектрик - органическая пленка.
|
| 653 |
|
|
|a органические полупроводники
|
| 653 |
|
|
|a адмиттанс
|
| 653 |
|
|
|a тонкие пленки
|
| 653 |
|
|
|a МДП-структуры
|
| 653 |
|
|
|a частотные зависимости
|
| 655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
| 700 |
1 |
|
|a Несмелов, Сергей Николаевич
|
| 700 |
1 |
|
|a Дзядух, Станислав Михайлович
|
| 773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2018
|g Т. 61, № 11. С. 162-169
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000661235
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 459081
|d 459081
|
