Пакетный импульсный режим дуального магнетронного распыления

Приводятся результаты экспериментального исследования разряда, формируемого дуальной (DU) магнетронной распылительной системой (МРС) с алюминиевыми мишенями в режиме пакетно-импульсного магнетронного распыления высокой мощности (Deep Oscillation Magnetron Sputtering – DOMS). Особенностью питания раз...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 62, № 7. С. 89-96
Other Authors: Захаров, Александр Николаевич, Павлов, Артем Павлович, Работкин, Сергей Викторович, Семенов, Вячеслав Аркадьевич, Оскирко, Владимир Олегович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000674387
Description
Summary:Приводятся результаты экспериментального исследования разряда, формируемого дуальной (DU) магнетронной распылительной системой (МРС) с алюминиевыми мишенями в режиме пакетно-импульсного магнетронного распыления высокой мощности (Deep Oscillation Magnetron Sputtering – DOMS). Особенностью питания разряда в режиме DOMS является применение последовательности униполярных микроимпульсов короткой длительности и высокой мощности, которые образуют макроимпульсы длительностью 1000–3000 мкс. Ранее такой режим распыления применялся только в одиночных МРС. В данной работе режим DOMS впервые был исследован на дуальной магнетронной распылительной системе. С помощью тройного и одиночного ленгмюровских зондов были измерены основные параметры плазмы. Установлена зависимость параметров плазмы от параметров импульсного электропитания разряда: амплитуды напряжения и тока, плотности тока и плотности мощности на поверхности мишеней. Результаты экспериментов показали, что применение дуального пакетно-импульсного магнетронного распыления позволяет значительно повысить концентрацию плазмы и плотность ионного тока на подложке по сравнению с традиционными режимами магнетронного распыления на постоянном и среднечастотном токе. Отношение плотности потока ионов к плотности потока нейтральных атомов, характеризующее уровень ионного воздействия на растущее покрытие в режиме DU DOMS, достигало значения 0.28, тогда как в режиме постоянного тока оно составляло 0.008.
Bibliography:Библиогр.: 15 назв.
ISSN:0021-3411
Access:Ограниченный доступ