Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ

Путем профилирования электрических параметров имплантированных мышьяком пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией, и сопоставления полученных данных с результатами исследований, проведенных методами масс-спектроскопии вторичных ионов и просвечивающей электронной микроскопии, определен...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 63, № 2. С. 98-103
Other Authors: Фицич, Елена Ивановна, Войцеховский, Александр Васильевич, Коротаев, Александр Григорьевич, Мынбаев, Карим Джафарович, Курбанов, Курбан Рамазанович, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Ремесник, Владимир Григорьевич, Ижнин, Игорь Иванович, Якушев, Максим Витальевич, Бончик, Александр Юрьевич, Савицкий, Григорий Владимирович, Świątek, Zbigniew, Morgiel, Jerzy
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000708756
LEADER 03228nab a2200469 c 4500
001 vtls000708756
003 RU-ToGU
005 20241127161106.0
007 cr |
008 200327|2020 ru s c rus d
024 7 |a 10.17223/00213411/63/2/98  |2 doi 
035 |a to000708756 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ  |c И. И. Ижнин, Е. И. Фицич, А. В. Войцеховский [и др.] 
504 |a Библиогр.: 11 назв. 
506 |a Ограниченный доступ 
520 3 |a Путем профилирования электрических параметров имплантированных мышьяком пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией, и сопоставления полученных данных с результатами исследований, проведенных методами масс-спектроскопии вторичных ионов и просвечивающей электронной микроскопии, определены локализация и природа донорных дефектов, сформировавшихся при имплантации. Показано, что такими дефектами являются дислокационные петли и квазиточечные дефекты, захватившие атомы междоузельной ртути, высвобожденные при имплантации. 
653 |a ионная имплантация 
653 |a дефекты 
653 |a электрофизические свойства 
653 |a пленки CdHgTe 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Фицич, Елена Ивановна 
700 1 |a Войцеховский, Александр Васильевич 
700 1 |a Коротаев, Александр Григорьевич 
700 1 |a Мынбаев, Карим Джафарович 
700 1 |a Курбанов, Курбан Рамазанович 
700 1 |a Варавин, Василий Семенович 
700 1 |a Дворецкий, Сергей Алексеевич 
700 1 |a Михайлов, Николай Николаевич  |c физик 
700 1 |a Ремесник, Владимир Григорьевич 
700 1 |a Ижнин, Игорь Иванович 
700 1 |a Якушев, Максим Витальевич 
700 1 |a Бончик, Александр Юрьевич 
700 1 |a Савицкий, Григорий Владимирович 
700 1 |a Świątek, Zbigniew 
700 1 |a Morgiel, Jerzy 
773 0 |t Известия высших учебных заведений. Физика  |d 2020  |g Т. 63, № 2. С. 98-103  |x 0021-3411  |w 0026-80960 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000708756 
908 |a статья 
999 |c 465851  |d 465851