Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ - Фицич, Елена Ивановна; Войцеховский, Александр Васильевич; Коротаев, Александр Григорьевич; Мынбаев, Карим Джафарович; Курбанов, Курбан Рамазанович; Варавин, Василий Семенович; Дворецкий, Сергей Алексеевич; Михайлов, Николай Николаевич физик; Ремесник, Владимир Григорьевич; Ижнин, Игорь Иванович; Якушев, Максим Витальевич; Бончик, Александр Юрьевич; et al. (Известия высших учебных заведений. Физика)
Путем профилирования электрических параметров имплантированных мышьяком пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией, и сопоставления полученных данных с результатами исследований, проведенных методами масс-спектроскопии вторичных ионов и просвечивающей электронной микроскопии, определены локализация и природа донорных дефектов, сформировавшихся при имплантации. Показано, что такими дефектами являются дислокационные петли и квазиточечные дефекты, захватившие атомы междоузельной ртути, высвобожденные при имплантации.