Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ
Путем профилирования электрических параметров имплантированных мышьяком пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией, и сопоставления полученных данных с результатами исследований, проведенных методами масс-спектроскопии вторичных ионов и просвечивающей электронной микроскопии, определен...
Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 63, № 2. С. 98-103 |
---|---|
Other Authors: | Фицич, Елена Ивановна, Войцеховский, Александр Васильевич, Коротаев, Александр Григорьевич, Мынбаев, Карим Джафарович, Курбанов, Курбан Рамазанович, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Ремесник, Владимир Григорьевич, Ижнин, Игорь Иванович, Якушев, Максим Витальевич, Бончик, Александр Юрьевич, Савицкий, Григорий Владимирович, Świątek, Zbigniew, Morgiel, Jerzy |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000708756 |
Similar Items
- Localization and nature of radiation donor defects in the arsenic implanted CdHgTe films grown by MBE
- Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe
- Admittance of metal-insulator-semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures
-
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Дзядух, Станислав Михайлович
Published: (2010) - Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком МЛЭ пленках CdHgTe