Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ

Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ

Путем профилирования электрических параметров имплантированных мышьяком пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией, и сопоставления полученных данных с результатами исследований, проведенных методами масс-спектроскопии вторичных ионов и просвечивающей электронной микроскопии, определен...

Полное описание

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 63, № 2. С. 98-103
Другие авторы:	Фицич, Елена Ивановна, Войцеховский, Александр Васильевич, Коротаев, Александр Григорьевич, Мынбаев, Карим Джафарович, Курбанов, Курбан Рамазанович, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Ремесник, Владимир Григорьевич, Ижнин, Игорь Иванович, Якушев, Максим Витальевич, Бончик, Александр Юрьевич, Савицкий, Григорий Владимирович, Świątek, Zbigniew, Morgiel, Jerzy
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	ионная имплантация дефекты электрофизические свойства пленки CdHgTe статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000708756

Похожие документы

Localization and nature of radiation donor defects in the arsenic implanted CdHgTe films grown by MBE

Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe

Admittance of metal-insulator-semiconductor devices based on HgCdTe nBn structures

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Дзядух, Станислав Михайлович
Публикация: (2010)

Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком МЛЭ пленках CdHgTe

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Емкостные свойства МДП-систем на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe

Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTe

Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ n-HgCdTe в конфигурации NBvN методом спектроскопии адмиттанса

Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm

Nano‑size defect layers in arsenic‑implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with transmission electron microscopy

Arsenic-ion implantation-induced defects in HgCdTe films studied with Hall-effect measurements and mobility spectrum analysis

Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic-implanted Hg0.7Cd0.3Te films

Диффузионное ограничение темнового тока в nBn-структурах на основе МЛЭ HgCdTe

Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения

Photoelectrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Особенности определения концентрации легирующей примеси в приповерхностном слое полупроводника путем измерения адмиттанса МДП-структур на основе p-Hg0.78Cd0.22Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Войцеховский, Александр Васильевич

Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона
Публикация: (2001)

Дефекты в имплантированных мышьяком р+n- и n+p-структурах на основе пленок CdHgTe, выращенных МЛЭ

Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках CdHgTe

Состав носителей в имплантированных бором МЛЭ пленках р-CdHgTe

Исследование радиационных дефектов в КРТ электрофизическими методами
по: Мануйлов, А. Н.

Активационный отжиг имплантированных As МЛЭ структур CdHgTe

Профили структурных дефектов в имплатированных мышьяком эпитаксиальных пленках CdHgTe по данным оптического отражения

Many-body effects on the Rashba-type spin splitting in bulk bismuth tellurohalides

Электрофизические и оптические исследования нейтральных дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe

Запись CD и DVD
по: Гультяев, Алексей Константинович
Публикация: (2005)

Запись компакт-дисков
по: Грошев, Сергей Владимирович
Публикация: (2001)

Релаксация электрофизических параметров n-слоев в МЛЭ эпитаксиальных пленках p-CdxHg1-xTe сформированных ионной имплантацией и ионным травлением

Электрофизические и фотоэлектрические параметры эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ, после высокоэнергетического воздействия электронов и гамма-квантов
по: Григорьев, Денис Валерьевич

Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the 8-300 K
по: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. II. Дискретный анализ спектров подвижности

Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. I. Обзор методов анализа спектров подвижности

Influence of a high-frequency pulsed nanosecond diffusion discharge in the nitrogen atmosphere on the electrical characteristics of a CdHgTe epitaxial films

Влияние диффузионного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства узкозонных полупроводников CdHgTe

Исследование электрофизических свойств МДП-структур на основе ГЭС КРТ МЛЭ
по: Зотов, Е. А.

Circular dichroism and superdiffusive transport at the surface of BiTeI

Визуальный курс. Создание CD и DVD
по: Банзель Т.
Публикация: (2009)

Влияние объемного наносекудного разряда в атмосфере воздуха, аргона и азота на электрофизические свойства узкозонных твердых растворов CdHgTe

Macrophages of the "heart-kidney" axis: their dynamics and correlations with clinical data and outcomes in patients with myocardial infarction