Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ

Путем профилирования электрических параметров имплантированных мышьяком пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией, и сопоставления полученных данных с результатами исследований, проведенных методами масс-спектроскопии вторичных ионов и просвечивающей электронной микроскопии, определен...

Полное описание

Библиографическая информация

Опубликовано в: :	Известия высших учебных заведений. Физика Т. 63, № 2. С. 98-103
Другие авторы:	Фицич, Елена Ивановна, Войцеховский, Александр Васильевич, Коротаев, Александр Григорьевич, Мынбаев, Карим Джафарович, Курбанов, Курбан Рамазанович, Варавин, Василий Семенович, Дворецкий, Сергей Алексеевич, Михайлов, Николай Николаевич физик, Ремесник, Владимир Григорьевич, Ижнин, Игорь Иванович, Якушев, Максим Витальевич, Бончик, Александр Юрьевич, Савицкий, Григорий Владимирович, Świątek, Zbigniew, Morgiel, Jerzy
Формат:	Статья в журнале
Язык:	Russian
Предметы:	ионная имплантация дефекты электрофизические свойства пленки CdHgTe статьи в журналах
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000708756