InAlN/GaN HEMT-транзистор гигагерцового диапазона
Published in: | Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции С. 272-274 |
---|---|
Main Author: | Брудный, Павел Александрович |
Other Authors: | Великовский, Леонид Эдуардович, Сим, Павел Евгеньевич |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000709235 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Плазменное травление в технологии InAlN/GaN HEMT
- Плазменное травление в технологии InAlN/GaN HEMT
- Features of radiation changes in electrical properties of InAlN/GaN HEMTs
- Многослойные гетероструктуры AIN/AlGaN/GaN/AlGaN с квантовыми ямами для мощных полевых СВЧ-транзисторов
- Особенности радиационных изменений электрических свойств INALN/GAN HEMT