Дефектоскопия монокристаллов ZnGeP2 излучением лазера на парах стронция

Дефектоскопия монокристаллов ZnGeP2 излучением лазера на парах стронция

Описан модифицированный метод оптический дефектоскопии монокристаллических пластин ZnGeP2 с использованием излучения лазера на парах стронция (λ = 1.03 и 1.09 мкм), основанный на получении теневой картины внутренних дефектов пластин, вырезанных параллельно плоскости (100). Показано, что применение и...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Квантовая электроника Т. 48, № 5. С. 491-494
Other Authors: Подзывалов, Сергей Николаевич, Солдатов, Анатолий Николаевич, Шумейко, Алексей Семенович, Юдин, Николай Александрович, Юдин, Николай Николаевич, Юрин, Владимир Юрьевич, Грибенюков, Александр Иванович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
лазеры на самоограниченных переходах
дефектоскопы
монокристаллы
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000721546
Description
Summary:Описан модифицированный метод оптический дефектоскопии монокристаллических пластин ZnGeP2 с использованием излучения лазера на парах стронция (λ = 1.03 и 1.09 мкм), основанный на получении теневой картины внутренних дефектов пластин, вырезанных параллельно плоскости (100). Показано, что применение излучения лазера на парах стронция с длиной волны 6.45 мкм позволяет исследовать неоднородности в крупноразмерных образцах ZnGeP2. Рассмотрена возможность создания проекционного дефектоскопа для мониторинга развития процесса пробоя монокристалла ZnGeP2.
ISSN:0368-7147

Similar Items