Дефектоскопия монокристаллов ZnGeP2 излучением лазера на парах стронция

Описан модифицированный метод оптический дефектоскопии монокристаллических пластин ZnGeP2 с использованием излучения лазера на парах стронция (λ = 1.03 и 1.09 мкм), основанный на получении теневой картины внутренних дефектов пластин, вырезанных параллельно плоскости (100). Показано, что применение и...

Full description

Bibliographic Details
Published in:Квантовая электроника Т. 48, № 5. С. 491-494
Other Authors: Подзывалов, Сергей Николаевич, Солдатов, Анатолий Николаевич, Шумейко, Алексей Семенович, Юдин, Николай Александрович, Юдин, Николай Николаевич, Юрин, Владимир Юрьевич, Грибенюков, Александр Иванович
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000721546
LEADER 02470nab a2200325 c 4500
001 vtls000721546
003 RU-ToGU
005 20241014164843.0
007 cr |
008 200605|2018 ru s c rus d
035 |a to000721546 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Дефектоскопия монокристаллов ZnGeP2 излучением лазера на парах стронция  |c А. И. Грибенюков, С. Н. Подзывалов, А. Н. Солдатов [и др.] 
520 3 |a Описан модифицированный метод оптический дефектоскопии монокристаллических пластин ZnGeP2 с использованием излучения лазера на парах стронция (λ = 1.03 и 1.09 мкм), основанный на получении теневой картины внутренних дефектов пластин, вырезанных параллельно плоскости (100). Показано, что применение излучения лазера на парах стронция с длиной волны 6.45 мкм позволяет исследовать неоднородности в крупноразмерных образцах ZnGeP2. Рассмотрена возможность создания проекционного дефектоскопа для мониторинга развития процесса пробоя монокристалла ZnGeP2. 
653 |a лазеры на самоограниченных переходах 
653 |a дефектоскопы 
653 |a монокристаллы 
655 4 |a статьи в журналах 
700 1 |a Подзывалов, Сергей Николаевич 
700 1 |a Солдатов, Анатолий Николаевич 
700 1 |a Шумейко, Алексей Семенович 
700 1 |a Юдин, Николай Александрович 
700 1 |a Юдин, Николай Николаевич 
700 1 |a Юрин, Владимир Юрьевич 
700 1 |a Грибенюков, Александр Иванович 
773 0 |t Квантовая электроника  |d 2018  |g Т. 48, № 5. С. 491-494  |x 0368-7147  |w 0029-20060 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000721546 
908 |a статья 
999 |c 467997  |d 467997