Даун-конверсия ИК излучения в нелинейных кристаллах GaSe:Al в ТГц диапазон
Исследованы оптические свойства и твердость кристаллов GaSe, GaSe:Al, GaSe:S:Al и GaSe:Al:O для создания эффективных генераторов терагерцового излучения. Легированные кристаллы отличаются от чистого GaSe высокими механическими и оптическими свойствами при определенном уровне легирования. Легирование...
Published in: | Известия Российской академии наук. Серия физическая Т. 84, № 7. С. 948-950 |
---|---|
Other Authors: | Ежов, Дмитрий Михайлович, Лосев, Валерий Федорович, Андреев, Юрий Михайлович физик, Ланский, Григорий Владимирович, Лубенко, Дмитрий Михайлович |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000789866 |
Similar Items
- Модельное исследование даун-конверсии ВГ Ti:Sapphire лазера в кристаллах LBO в ТГц диапазон
- Даун-конверсия коротковолнового излучения в кристалле LBO
- Down-conversion in doped GaSe for spectroscopic applications
- Intensive terahertz emission from GaSe0.91S0.09 under collinear difference frequency generation
- A comparison of terahertz generation and detection in ZnTe, GaP, GaSe and GaSe:S crystals