Зависимость скорости роста кристаллов типа AIIBIVCV2 от кристаллографического направления растущей плоскости
Published in: | Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г. С. 74 |
---|---|
Main Author: | Михасенко, Антон Геннадьевич |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Рост полупроводниковых кристаллов и пленок
Published: (1984) -
Локальные уровни собственных дефектов в GaP и ZnGeP2
by: Воеводин, Валерий Георгиевич -
Адсорбционные и некоторые физические свойства системы GaAs - ZnSe диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук
by: Зелева, Галия Михайловна
Published: (1973) -
Вторичная структура кристаллов и эффект Ганна - новые подходы и перспективы
by: Веснин, Юрий Иванович -
История организации и становления научного направления по физике полупроводников в Томском университете и Сибирском физко-техническом институте
by: Вяткин, Анатолий Петрович