Исследование фотоэлектрических свойств пленок КРТ, выращенных МЛЭ
Published in: | Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г. С. 88 |
---|---|
Main Author: | Шумкин, С. В. |
Other Authors: | Коханенко, Андрей Павлович |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: |
Similar Items
-
Фотоэлектрические параметры эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ
by: Волков, А. И. -
Разработка ИК-фотоприемников на основе эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Войцеховский, Александр Васильевич -
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок теллурида кадмия ртути, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Ходкевич, Д. В. -
Исследование поверхностного потенциала в области V-дефекта эпитаксиальной пленки МЛЭ КРТ
by: Новиков, Вадим Александрович -
Ионная имплантация в эпитаксиальные пленки КРТ, выращенные методом МЛЭ
by: Григорьев, Денис Валерьевич