Дислокации в оптическом германии

Дислокации в оптическом германии

Bibliographic Details
Published in:	Физика твердого тела : тезисы докладов VI Российской научной студенческой конференции С. 105
Main Author:	Сазонова, Е. А.
Other Authors:	Каплунов, Иван Александрович
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	физика полупроводников физика диэлектриков монокристаллы германий монокристаллический германий
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Оптические неоднородности в крупногабаритных монокристаллах германия и парателлурита
by: Крюкова, Е. А.

Движение дислокаций при отжиге
by: Соловьева, Т. И.

Самоорганизация наноостровков Ge на Si (211)
by: Самарин, А. А.

Микродвойникование в соединении Cd6P7
by: Кунакова, Н. А.

Функциональные свойства гетероструктур монокристаллический кремний - неупорядоченный полупроводник
by: Тутов, Е. А.

Анализ термофлуктуационных явлений в монокристаллах ниобата лития
by: Азанова, И. С.

Формирование чувствительности при модификации поверхности микрокристаллов AgBr (111)
by: Перешивко, А. Н.

Влияние деформации и лазерного воздействия на структуру кремния
by: Стрекалова, М.

К вопросу об определении равновесных граней полубесконечных монокристаллов
by: Иванилов, Д. А.

Исследование электрических характеристик транзисторных структур, изготоаленных по биполярной технологии с использованием геттерирования
by: Жолудев, Г. К.

Ферромагнитный резонанс в монокристаллах гексаферритов
by: Ошлаков, Алексей Алексеевич

Исследование процесса синтеза ZnGeP2 двухтемпературным методом
by: Бобылева, О. Д.

Получение и исследование пленок ZnGeP2
by: Малышев, T. А.

Численное исследование процессов массопереноса в газовой фазе при двухтемпературном синтезе ZnGeP2
by: Лебедев, И. Н.

Пространственное размещение структурных подрешеток в кристаллах со структурой AIPS4
by: Николаева, Е. В.

Влияние температуры и электрического поля на фотоэлектрические спектры гетеронаноструктур с квантовыми точками InAs/GaAs
by: Гладышев, Е. Е.

Фотолюминесценция структур с GaN квантовыми точками в матрице AlN
by: Ри, Д. Д.

Начальная стадия формирования 3D-островков при эпитаксии по механизму Фольмера-Вебера
by: Тюрин, К. Г.

Нанокристаллическая фаза в феноменологических моделях аморфного кремния
by: Орлов, А. В.

Оптические и электрические свойства полупроводников
Published: (1993)

Химическая связь в карбонате рубидия
by: Федоров, Игорь Александрович

Деформационные потенциалы в сверхрешетке (AIAs)1(GaAs)3
by: Никитина, Лариса Николаевна

Исследование механизмов роста углеродных нанотрубок на различных прекурсорах
by: Петров, М. А.

Исследование температурной зависимости проводимости аморфных полупроводников
by: Перминов, А. В.

Исследования поликристаллов кремния
by: Малышев, И. А.

Адсорбция кремния на поверхности (110) GaAs
by: Абрамов, Б. А.

Влияние реконструкции поверхности GaAs(001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии
by: Попов, А. В.

Влияние содержания кислорода на свойства тонких пленок SnO2
by: Воронянский, В. А.

Распространение темных фотовольтаических пространственных солитонов в планарном волноводе на ниобате лития
by: Бородин, Максим Викторович

Кинетика фотолюминесценции двумерного электронного газа в гетероструктуре GaN/AlGaN
by: Коржавина, Н. С.

Исследование контакта Au-ZrN-n- GaAs с барьером Шоттки

Определение характеристик светоизлучающих диодов
by: Незнамова, Ю. О.

Установка для плазмохимического формирования покрытий большой площади
by: Федоров, М. В.

Электрические характеристики контактов "металл - полупроводник" сложного состава
by: Захаров, Д. Н.

Исследование поверхности микрокристаллов AgBr октаэдрического габитуса методом декодирования
by: Черемисина, В. Г.

Особенности кинетики формирования отклика при воздействии водорода и метана на тонкие пленки Pt/SnO2:Sb
by: Мазалов, С. М.

Наноструктуры для светодиодов
by: Стасюк, О. Ю.

Исследование полевых зависимостей дрейфовой скорости и дрейфовой длины электронов в компенсированном арсениде галлия
by: Симолин, А. А.

Температурные зависимости поглощения света в кристаллах титана висмута
by: Жныкина, М. А.

Предельное положение уровня Ферми в дефектных полупроводниках групп IV и III-V в рамках метода линейной комбинации атомных орбиталей
by: Орлова, А. Ю.