Особенности радиационного дефектообразования в КРТ при воздействии МИП

Особенности радиационного дефектообразования в КРТ при воздействии МИП

Bibliographic Details
Published in:	Физика твердого тела : тезисы докладов VI Российской научной студенческой конференции С. 73
Main Author:	Григорьев, Денис Валерьевич
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	физика полупроводников физика диэлектриков теллурид кадмия-ртути радиационные дефекты полупроводники труды ученых ТГУ мощные ионные пучки
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Исследование радиационных дефектов в КРТ электрофизическими методами
by: Мануйлов, А. Н.

Расчет профилей распределения радиационных дефектов в КРТ при воздействии мощными импульсными лазерными пучками
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Спектральные характеристики фотопроводимости структур на основе КРТ
by: Нестерович, Н. В.

Фотоэлектрические параметры эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ
by: Волков, А. И.

Исследование спектральных характеристик эпитаксиальных пленок КРТ
by: Волков, А. И.

Измерение спектральных характеристик эпитаксиальных пленок теллурида кадмия ртути
by: Усманов, С. Р.

Радиационные эффекты в кристаллах теллурида кадмия-ртути

Исследование фотоэлектрических свойств пленок КРТ, выращенных МЛЭ
by: Шумкин, С. В.

Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок теллурида кадмия ртути, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Ходкевич, Д. В.

Influence of composition of Hg1-xCdxTe(x = 0.22-0.57) epitaxial film on dynamics of accumulation and spatial distribution of electrically active radiation defects after boron implantation

Радиационные эффекты в HgCdTe

Применение эпитаксиальных пленок КРТ, для создания фотоприемников ИК диапозона
by: Дацко, Д. И.

Расчет профилей пробега высокоэнергетических ионов в теллуриде кадмия ртути при ионной имплантации
by: Фроленко, Р. С.

Радиационное дефектообразование в кристаллах КРТ
by: Филатов, Михаил Федорович

Радиационное дефектообразование в КРТ МЛЭ при воздействии мощного лазерного излучения

Ионная имплантация в эпитаксиальные пленки КРТ, выращенные методом МЛЭ
by: Григорьев, Денис Валерьевич

Низкотемпературная активация ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Моделирование температурно-фазовых изменений в приповерхностных слоях металлов и сплавов при воздействии мощным ионным пучком
by: Мамонов, А. В.

Структурные эффекты и упрочение в (α+β) - титановых сплавах под действием мощных ионных пучков
by: Михайлов, П. П.

Исследование поверхностного потенциала в области V-дефекта эпитаксиальной пленки МЛЭ КРТ
by: Новиков, Вадим Александрович

Влияние состава варизонного слоя на формирование n+-n−-p-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe
by: Талипов, Нияз Хатимович

Исследование распределения поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок CdHgTe

Экспериментальное исследование характеристик фотосмесителя на основе кадмиевого теллурида ртути
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Радиационное дефектообразование в эпитаксиальных пленках КРТ
by: Филатов, Михаил Федорович

Фотолюминесценция структур КРТ с потенциальными ямами

Моделирование процессов в полупроводниковом кристалле при воздействии ионных импульсов
by: Истомин, Е. А.

Динамика электрических свойств конвертированных при ионной имплантации и ионном травлении n-слоев в р-CdxHg1-xTe

Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates

Capacitance-voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Electrical properties of the V-defects of epitaxial HgCdTe

Влияние импульсного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на магнитополевые зависимости электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ

Изменение электрофизических свойств узкозонных твердых растворов CdHgTe под воздействием объемного разряда, инициируемого пучком электронов лавин в воздухе атмосферного давления

Лазерная генерация в структурах КРТ с квантовыми ямами
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Влияние диффузионного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства узкозонных полупроводников CdHgTe

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Поведение примеси меди и структурных дефектов в диарсениде кадмия - олова диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Воеводина, Ольга Викторовна
Published: (1982)

Influence of complex impact of the picosecond electron beam and volume discharge in atmospheric-pressure air on the electronic properties of MCT epitaxial films surface

Influence of complex impact of the picosecond electron beam and volume discharge in atmospheric-pressure air on the electronic properties of MCT epitaxial films surface

Влияние импульсного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на электронные свойства поверхности эпитаксиальных пленок КРТ

Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии тематический выпуск
Published: (2000)