Квазибинарный разрез AgGaSe2-PbSe
В оптоэлектронике в последние годы исследователей заинтересовали соединения AIBIIICVI2 (AI-Cu, Ag; BIII-Ga, In ; CVI-S, Se) со структурой халькопирита и их твердые растворы. Это внимание объясняется главным образом перспективностью применения медь- и серебросодержащих представителей данных соедин...
| Опубликовано в: : | Вестник Томского государственного университета. Химия № 18. С. 27-34 |
|---|---|
| Главный автор: | |
| Формат: | Статья в журнале |
| Язык: | Russian |
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000792791 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| LEADER | 04332nab a2200361 c 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | vtls000792791 | ||
| 003 | RU-ToGU | ||
| 005 | 20230319222025.0 | ||
| 007 | cr | | ||
| 008 | 210129|2020 ru s c rus d | ||
| 024 | 7 | |a 10.17223/24135542/18/3 |2 doi | |
| 035 | |a to000792791 | ||
| 039 | 9 | |a 202102031237 |c 202101291642 |d VLOAD |y 202101291634 |z Александр Эльверович Гилязов | |
| 040 | |a RU-ToGU |b rus |c RU-ToGU | ||
| 100 | 1 | |a Мамедов, Шарафат Гаджиага оглы |9 370917 | |
| 245 | 1 | 0 | |a Квазибинарный разрез AgGaSe2-PbSe |c Ш. Г. Мамедов |
| 246 | 1 | 1 | |a Quasibinary section of AgGaSe2-PbS |
| 336 | |a Текст | ||
| 337 | |a электронный | ||
| 504 | |a Библиогр.: 20 назв. | ||
| 520 | 3 | |a В оптоэлектронике в последние годы исследователей заинтересовали соединения AIBIIICVI2 (AI-Cu, Ag; BIII-Ga, In ; CVI-S, Se) со структурой халькопирита и их твердые растворы. Это внимание объясняется главным образом перспективностью применения медь- и серебросодержащих представителей данных соединений (CuInS2, CuInSe2 и т.д.) с проводимостью p-типа в качестве поглощающего слоя тонкопленочных солнечных элементов. Лигатуры (AgGaSe2, PbSe) синтезировали в вакуумированных кварцевых ампулах из элементов, взятых в соответствующих соотношениях при 1 150 и 1 370 К в течение 3 ч с последующим охлаждением на воздухе. В качестве исходных материалов использовали Pb, Ag, Ga, Se высокой чистоты с содержанием основного вещества не менее 99,999%. Образцы отжигали при 600 К в течение 300-350 ч. Образцы разреза AgGaSe2-PbSe синтезировали при 1 150-1 370 К. Полученные образцы отжигали при 600 К в течение 350 ч. Методами РФА, ДТА и металлографического анализа, измерением микротвердости и плотности изучены фазовые равновесия в разрезе AgGaSе2-PbSе квазитройной системы Ag2Sе-Ga2Sез-PbSе. Построена Т-х фазовая диаграмма системы и установлено образование четверного соединения состава AgPb2GaSе4, образующегося при 1 110 К по перитектической реакции. Определены условия образования и изучены физико-химические свойства соединения AgPb2GaSe4. Установлено, что соединение AgPb2GaSе4 кристаллизуется в орторомбической сингонии с параметрами кристаллической решетки: а = 8,5201, b = 7,2311, с = 6,9203 Å, Пр.гр. Pmn21. Выявлено, что растворимость на основе AgGaSе2 при комнатной температуре достигает 12 мол. % (β-фаза), а на основе PbSе - 8 мол. % AgGaSе2. | |
| 653 | |a перитектика | ||
| 653 | |a эвтектика | ||
| 653 | |a твердые растворы | ||
| 653 | |a система AgGaSе2-PbSе | ||
| 653 | |a соединение AgPb2GaSе4 | ||
| 655 | 4 | |a статьи в журналах |9 879358 | |
| 773 | 0 | |t Вестник Томского государственного университета. Химия |d 2020 |g № 18. С. 27-34 |x 2413-5542 |w to000518048 | |
| 852 | 4 | |a RU-ToGU | |
| 856 | 4 | |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000792791 | |
| 856 | |y Перейти в каталог НБ ТГУ |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=477900 | ||
| 908 | |a статья | ||
| 999 | |c 477900 |d 477900 | ||