Фотоэлектрические параметры эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ
Published in: | Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г. С. 88-89 |
---|---|
Main Author: | Волков, А. И. |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23)
Similar Items
-
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок теллурида кадмия ртути, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Ходкевич, Д. В. -
Разработка ИК-фотоприемников на основе эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Войцеховский, Александр Васильевич -
Исследование фотоэлектрических свойств пленок КРТ, выращенных МЛЭ
by: Шумкин, С. В. -
Радиационное дефектообразование в эпитаксиальных пленках КРТ
by: Филатов, Михаил Федорович -
Исследование поверхностного потенциала в области V-дефекта эпитаксиальной пленки МЛЭ КРТ
by: Новиков, Вадим Александрович