Первопринципное изучение электронной структуры BiTeI под давлением
Published in: | Физика твердого тела : сборник материалов XIV Российской научной студенческой конференции, 13-15 мая 2014 г., Томск, Россия С. 158-160 |
---|---|
Main Author: | Шапошников, Антон Альбертович |
Corporate Author: | Томский государственный университет Физический факультет Публикации студентов и аспирантов ФФ |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000479504 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- The gigantic Rashba effect of surface states energetically buried in the topological insulator Bi2Te2Se
- Deep insight into the electronic structure of ternary topological insulators: a comparative study of PbBi4Te7 and PbBi6Te10
- Multiple coexisting Dirac surface states in three-dimensional topological insulator PbBi6Te10
- Topological states induced by local structural modification of the polar BiTeI(0001) surface
-
Особенности топологического состояния в гетероструктуре Sb2Te3-PbBi2S2Te2
by: Самороков, Денис Алексеевич