LEADER 01748naa a2200301 c 4500
001 vtls000659889
003 RU-ToGU
005 20230323131548.0
007 cr |
008 190701s2018 ru fs 100 0 rus d
035 |a to000659889 
039 9 |a 201907031440  |b 100  |c 201907011219  |d VLOAD  |y 201907011209  |z Александр Эльверович Гилязов 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
100 1 |a Кравцова, Наталья Сергеевна  |9 149112 
245 1 0 |a Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии  |c Н. С. Кравцова 
246 1 1 |a Modeling of parameters of transistors based on epitaxial GeSi/Si films grown by the MBE method 
504 |a Библиогр.: 4 назв. 
653 |a молекулярно-лучевая эпитаксия 
653 |a эпитаксиальные пленки 
653 |a биполярные транзисторы 
653 |a моделирование 
655 0 |a статьи в сборниках  |9 879352 
773 0 |t Физика твердого тела : сборник материалов XVI Российской научной студенческой конференции, Томск, 17-20 апреля 2018 г.  |d Томск, 2018  |g С. 213-214  |z 9785895036167 
852 4 |a RU-ToGU 
856 4 |u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000659889 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=49192 
908 |a статья 
999 |c 49192  |d 49192