|
|
|
|
| LEADER |
01748naa a2200301 c 4500 |
| 001 |
vtls000659889 |
| 003 |
RU-ToGU |
| 005 |
20230323131548.0 |
| 007 |
cr | |
| 008 |
190701s2018 ru fs 100 0 rus d |
| 035 |
|
|
|a to000659889
|
| 039 |
|
9 |
|a 201907031440
|b 100
|c 201907011219
|d VLOAD
|y 201907011209
|z Александр Эльверович Гилязов
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 100 |
1 |
|
|a Кравцова, Наталья Сергеевна
|9 149112
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
|c Н. С. Кравцова
|
| 246 |
1 |
1 |
|a Modeling of parameters of transistors based on epitaxial GeSi/Si films grown by the MBE method
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 4 назв.
|
| 653 |
|
|
|a молекулярно-лучевая эпитаксия
|
| 653 |
|
|
|a эпитаксиальные пленки
|
| 653 |
|
|
|a биполярные транзисторы
|
| 653 |
|
|
|a моделирование
|
| 655 |
|
0 |
|a статьи в сборниках
|9 879352
|
| 773 |
0 |
|
|t Физика твердого тела : сборник материалов XVI Российской научной студенческой конференции, Томск, 17-20 апреля 2018 г.
|d Томск, 2018
|g С. 213-214
|z 9785895036167
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
| 856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000659889
|
| 856 |
|
|
|y Перейти в каталог НБ ТГУ
|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=49192
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 49192
|d 49192
|
