Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Published in: | Физика твердого тела : сборник материалов XVI Российской научной студенческой конференции, Томск, 17-20 апреля 2018 г. С. 213-214 |
---|---|
Main Author: | Кравцова, Наталья Сергеевна |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000659889 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Исследование фотоэлектрических свойств эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Ходкевич, Д. В. -
Разработка ИК-фотоприемников на основе эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Войцеховский, Александр Васильевич -
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок теллурида кадмия ртути, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Ходкевич, Д. В. -
Особенности получения эпитаксиальных пленок КРТ методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Латтеган, А. Г. -
Исследование фотоэлектрических свойств эпитаксиальных пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Чарыков, И. В.