Моделирование параметров транзисторов на основе эпитаксиальных пленок GeSi/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
| Published in: | Физика твердого тела : сборник материалов XVI Российской научной студенческой конференции, Томск, 17-20 апреля 2018 г. С. 213-214 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000659889 Перейти в каталог НБ ТГУ |