Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V"(3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) материалы конференции

Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V"(3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) материалы конференции

Bibliographic Details
Corporate Author:	"Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", конференция Томск
Format:	Conference Proceeding eBook
Language:	Russian
Published:	Томск [Том. гос. ун-т] 2006
Subjects:	арсенид галлия эпитаксиальные слои полупроводниковые материалы полупроводниковые приборы полупроводниковые структуры многослойные полупроводниковые структуры низкоразмерные физика поверхности эпитаксиальные пленки монокристаллы микроструктуры наноструктуры рост кристаллов дефекты кристаллов фазовые превращения гетеропереходы полупроводниковые гетероструктуры тонкие пленки сверхрешетки полупроводниковые квантовые ямы нанооболочки гетеронаноструктуры нанотрубки однослойные твердотельные электронные устройства оптоэлектронные приборы детекторы излучений полупроводниковые сенсоры радиационное модифицирование полупроводников радиационное легирование полупроводников сборники
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000223791 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"
Published: (1999)

Тонкие пленки Ta2O5 для конденсаторов в интегральных схемах на арсениде галлия

Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок [сборник статей]
Published: (1977)

Всесоюзная конференция по физике соединений А3 В5, г. Новосибирск, 7-9 июля 1981 тезисы докладов
Published: (1981)

Радиационное дефектообразование в эпитаксиальных пленках КРТ
by: Филатов, Михаил Федорович

МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
by: Акчурин, Рауф Хамзинович
Published: (2018)

Всесоюзная конференция "Тройные полупроводники и их применение", 8-10 октября 1979 г. тезисы докладов
Published: (1979)

Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002 .1-4 октября 2002 г. материалы конференции
Published: (2002)

Рост полупроводниковых кристаллов и пленок
Published: (1984)

6 Международная конференция по росту кристаллов, Москва, 10-16 сентября 1980 расширенные тезисы
Published: (1980)

Расчет спектральных характеристик фотопроводимости эпитаксиальных варизонных пленок КРТ
by: Нестерович, Н. В

Сверхбыстродействующая элементная база интегральных схем на арсениде галлия

Детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия

Получение и исследование свойств эпитаксиальных слоев GaN, выращенных мос-гидричным методом на подложках сапфира с использованием различных буферных слоев

Восьмая Российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, Томск 1-4 октября 2002 программа
Published: (2002)

Полупроводниковые приборы Учебник для вузов
by: Пасынков, Владимир Васильевич
Published: (2002)

Полупроводниковые приборы учебник для вузов
by: Пасынков, Владимир Васильевич
Published: (2003)

Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры
Published: (1989)

Тонкопленочные просветвляющие покрытия на основе Ta2O5 для солнечных элементов на GaAs
by: Чистоедова, Инна Анатольевна

Влияние реконструкции поверхности GaAs (001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии
by: Попова, А. В

Ионная имплантация в эпитаксиальные пленки КРТ, выращенные методом МЛЭ
by: Григорьев, Денис Валерьевич

Дефекты структуры в полупроводниках материалы Всесоюзного совещания по дефектам в полупроводниках [2-4 октября 1973 г.]
Published: (1973)

Реферативный журнал. 23А. Электровакуумные и газоразрядные устройства. Раздел 23АБ. Электровакуумные и твердотельные приборы. 23Б. Полупроводниковые приборы сводный том
Published: (2008)

Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок
by: Александров, Леонид Наумович
Published: (1978)

Анизотропия проводимости в δ-слоях кремния на вицинальных поверхностях GaAs (111)A и (111)B

Эпитаксиальные структуры GaAs:Sn, Cr выращенные методом жидкофазной эпитаксии
by: Гущин, Сергей Михайлович

Особенности формирования профиля распределения электрически активных радиационных дефектов при ионной имплантации эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Comparative study of SI GaAs detectors with Schottky barriers and epitaxial hing-doped layers

Светоизлучающие диоды
by: Вилисов, Анатолий Александрович

Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AIAs)n диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Никитина, Лариса Николаевна
Published: (2011)

Вторичная структура кристаллов и эффект Ганна - новые подходы и перспективы
by: Веснин, Юрий Иванович

Получение пленок GaAs на подложках из кремния и арсенида галлия в квазизамкнутом объеме

Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg

Влияние параметров квантовых точек на характеристики системы материалов Si/Ge
by: Торопов, Никита Александрович

Полупроводниковые приборы [учебник для вузов по специальности "Полупроводники и диэлектрики"]
by: Пасынков, Владимир Васильевич
Published: (1981)

Моделирование деградации фотоэлектрических преобразователей на основе арсенида галлия при воздействии потока высокоэнергетических электронов

Влияние технологических факторов на параметры солнечных элементов

Multichannel magnetometer on the base of III-V semiconductor sensors

Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок [сборник докладов : в 2 ч.]
Published: (1975)

Особенности фотоотражения в тонких пленках n-GaAs