Свойства структур Ga2O3–GaAs в видимом и УФ-диапазонах

Свойства структур Ga2O3–GaAs в видимом и УФ-диапазонах

Bibliographic Details
Published in:Известия высших учебных заведений. Физика Т. 56, № 8/3. С. 181-184
Corporate Authors: Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники, Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ, Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Other Authors: Зарубин, Андрей Николаевич, Калыгина, Вера Михайловна, Петрова, Юлианна Сергеевна, Прудаев, Илья Анатольевич, Толбанов, Олег Петрович, Тяжев, Антон Владимирович, Яскевич, Тамара Михайловна, Вишникина, Вера Валерьевна
Format: Article
Language:Russian
Subjects:
оксид галлия
арсенид галлия
тонкие пленки
термический отжиг
кислородная плазма
фотоэлектрические свойства
видимый диапазон
ультрафиолетовый диапазон
статьи в журналах
Online Access:http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000468390

Similar Items

Similar Items