Влияние уровня легирования кремния на чувствительность к водороду барьерных структур Pd/n-Si

Bibliographic Details
Published in:	Труды V международной конференции "Актуальные проблемы электронного приборостроения, АПЭП-2000", Новосибирск, 26-29 сентября 2000: В 7 т. Т.2. С. 126-128
Main Author:	Калыгина, Вера Михайловна
Other Authors:	Хлудкова, Людмила Станиславовна
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	электронные приборы. труды ученых ТГУ. физические процессы. электрические характеристики. кремний. легирование. водород. барьерные структуры.
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ


LEADER	01670naa a2200313 4500
001	vtls000319222
003	RU-ToGU
005	20240409165034.0
008	101222s2000 ru a f 100 0 rus d
035			\|a to000319222
039		9	\|a 201012222252 \|b 100 \|y 200808300819 \|z Александр Эльверович Гилязов
040			\|a RU-ToGU \|b rus \|c RU-ToGU
080			\|a 621.38
100	1		\|a Калыгина, Вера Михайловна \|9 74707
245	1	0	\|a Влияние уровня легирования кремния на чувствительность к водороду барьерных структур Pd/n-Si \|c В.М. Калыгина, Л.С. Хлудкова
653			\|a электронные приборы.
653			\|a труды ученых ТГУ.
653			\|a физические процессы.
653			\|a электрические характеристики.
653			\|a кремний.
653			\|a легирование.
653			\|a водород.
653			\|a барьерные структуры.
700	1		\|a Хлудкова, Людмила Станиславовна. \|9 86747
773	0		\|t Труды V международной конференции "Актуальные проблемы электронного приборостроения, АПЭП-2000", Новосибирск, 26-29 сентября 2000: В 7 т. \|d Новосибирск, 2000 \|g Т.2. С. 126-128 \|w 0131-42060
852	4		\|a Ru-ToGU \|n ru
856			\|y Перейти в каталог НБ ТГУ \|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=541495
908			\|a статья
999			\|c 541495 \|d 541495

Similar Items