Исследование арсенида галлия с примесью марганца как материала для фоторезисторных приемников
Published in: | Материалы научно-практической конференции "Молодые ученые и специалисты Томской области в 9-й пятилетке". Секция физики твердого тела С. 153-156 |
---|---|
Other Authors: | Хлудков, Станислав Степанович, Войцеховский, Александр Васильевич, Антонов, В. В., Фукс, Г. М. |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: |
Similar Items
- Исследование свойств арсенида галлия с примесью марганца
-
Пороговая чувствительность фоторезисторных приемников с СВЧ смешением на основе примесных фотополупроводников
by: Войцеховский, Александр Васильевич -
Эффект фотонного увлечения в арсениде галлия, легированном глубокими примесями
by: Антонов, В. В. -
Закономерности легирования и формирования примесно-вакансионных комплексов в условиях газофазовой эпитаксии арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
by: Бобровникова, Ирина Анатольевна
Published: (1989) -
Фоторезисторный приемник на основе Hq1-xCdxTe
by: Войцеховский, Александр Васильевич