Изучение процессов деградации излучающих р-п-переходов на основе твердого раствора GaAsIn-P
Published in: | Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладов С. 42 |
---|---|
Other Authors: | Гаман, Василий Иванович 1929-2021, Ковалев, И. К., Рыженко, О. Н., Цимберова, И. С. |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Распад пересыщенного твердого раствора железа в GaAs
- Влияние механизма роста твердого раствора InGaAs при низкой температуре на процесс формирования нанокластеров в нем
- Исследование прямой ветви вольт-амперной характеристики р-???-п-структур на основе GaAs(Fe)
-
Механизм срыва обратной вольт-амперной характеристики р-???-п-структур на основе GaAs(Fe)
by: Гаман, Василий Иванович 1929-2021 - Фотоэлектрические характеристики p-???-n-структур на основе GaAs(Fe)