Фотоэлектрические характеристики p-???-n-структур на основе GaAs(Fe)
Published in: | Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладов С. 73 |
---|---|
Other Authors: | Гаман, Василий Иванович 1929-2021, Вилисов, Анатолий Александрович, Диамант, В. М, Фукс, Г. М. |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Оптические и фотоэлектрические характеристики высокоомного GaAs
by: Будницкий, Давыд Львович -
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных p-i-n структур на основе компенсированного арсенида галия
by: Шмаков, Олег Геннадьевич - Фотоэлектрические характеристики детекторных структур на основе GaAs, компенсированного Cr
-
Влияние гидростатического давления на вольт-амперные характеристики ???-y-n структур из GaAs: Fe
by: Вилисов, Анатолий Александрович - Photoelectric characteristics of metal-Ga2O3-GaAs structures