|
|
|
|
LEADER |
01236naa a2200265 4500 |
001 |
vtls000323012 |
003 |
RU-ToGU |
005 |
20241128121905.0 |
008 |
110109s1978 ru f 100 0drus d |
035 |
|
|
|a to000323012
|
040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
080 |
|
|
|a 53
|
100 |
1 |
|
|a Антонов, В. В.
|
245 |
1 |
0 |
|a Эффект фотонного увлечения в арсениде галлия, легированном глубокими примесями
|c В. В. Антонов, А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко
|
653 |
|
|
|a полупроводники.
|
653 |
|
|
|a физика полупроводников.
|
653 |
|
|
|a арсенид галлия.
|
653 |
|
|
|a примеси.
|
653 |
|
|
|a ток увлечения.
|
700 |
1 |
|
|a Войцеховский, Александр Васильевич
|
700 |
1 |
|
|a Коханенко, Андрей Павлович
|
773 |
0 |
|
|t Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладов
|d Томск, 1978
|g С. 103-104
|w to000369014
|
852 |
4 |
|
|a Ru-ToGU
|n ru
|
908 |
|
|
|a статья
|
999 |
|
|
|c 546592
|d 546592
|