LEADER 01236naa a2200265 4500
001 vtls000323012
003 RU-ToGU
005 20241128121905.0
008 110109s1978 ru f 100 0drus d
035 |a to000323012 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
080 |a 53 
100 1 |a Антонов, В. В. 
245 1 0 |a Эффект фотонного увлечения в арсениде галлия, легированном глубокими примесями  |c В. В. Антонов, А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко 
653 |a полупроводники. 
653 |a физика полупроводников. 
653 |a арсенид галлия. 
653 |a примеси. 
653 |a ток увлечения. 
700 1 |a Войцеховский, Александр Васильевич 
700 1 |a Коханенко, Андрей Павлович 
773 0 |t Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладов  |d Томск, 1978  |g С. 103-104  |w to000369014 
852 4 |a Ru-ToGU  |n ru 
908 |a статья 
999 |c 546592  |d 546592