Моделирование электрических и оптических характеристик светоизлучающих диодов на основе многокомпонентных гетероструктур AlGaInN автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Моделирование электрических и оптических характеристик светоизлучающих диодов на основе многокомпонентных гетероструктур AlGaInN автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10

Библиографическая информация
Главный автор:	Рабинович, Олег Игоревич
Формат:	Книга
Язык:	Russian
Публикация:	Москва [б. и.] 2008
Предметы:	физика полупроводников авторефераты диссертаций

Похожие документы

Определение характеристик светоизлучающих диодов
по: Незнамова, Ю. О.

Применение полупроводниковых светоизлучающих диодов на основе двойных гетероструктур A3B5 в приемопередающих модулях для открытого канала связи
по: Белоцерковский, Андрей Геннадьевич

Исследование свойств светоизлучающих эпитаксиальных GaAs структур, содержащих ферромагнитные слои автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Дорохин, Михаил Владимирович
Публикация: (2007)

Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Деребезов, Илья Александрович
Публикация: (2013)

Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.10
по: Борисенко, Сергей Иванович
Публикация: (2004)

Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Копьев, Виктор Васильевич
Публикация: (2019)

Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Копьев, Виктор Васильевич
Публикация: (2019)

Монолитная матрица излучателей на основе гетероструктур GaAlAs

Кинетика фотолюминесценции двумерного электронного газа в гетероструктуре GaN/AlGaN
по: Коржавина, Н. С.

Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур AlGaAs: разработка и применение Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук. 01.04.10.
по: Вилисов, Анатолий Александрович
Публикация: (2001)

Фотолюминесценция структур с GaN квантовыми точками в матрице AlN
по: Ри, Д. Д.

Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки на основе GaAs
по: Нетудыхатко, А. В.

Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AlN автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Александров, Иван Анатольевич
Публикация: (2015)

Особенности производства кристаллов для СИД на основе гетероструктур GaAlAs

Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Никитина, Лариса Николаевна
Публикация: (2011)

Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN, InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук : 05.27.06
по: Ермошин, Иван Геннадьевич
Публикация: (2009)

Закономерности междолинного рассеяния в ультратонких сверхрешетках (AlAs)n (GaAs)m
по: Никитина, Лариса Николаевна

Стабилизация теплового и электрического режимов в нитевидных модулях светоизлучающих GaN/InGan диодов: диссертация ... кандидата технических наук: 01.04.04/
по: Старосек, Д. Г. Данил Геннадьевич
Публикация: (2019)

Стабилизация теплового и электрического режимов в нитевидных модулях светоизлучающих GaN/InGan диодов: автореферат ... кандидата технических наук: 01.04.04/
по: Старосек, Д. Г. Данил Геннадьевич
Публикация: (2019)

Исследование оптических и фотоэлектрических свойств детекторных структур на основе эпитаксиальных слоев GaAs и AlGaAs
по: Беспальков, М. А.

Исследование характеристик диодов Ганна с пространственно неоднородными параметрами электрических полей в диапазоне длин от 1 до 30 мкм
по: Юрченко, Василий Иванович

Комбинированное облучение гетероструктур AlGaAs
по: Градобоев, Александр Васильевич

Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN

Импеданс органических светоизлучающих диодов с термически активированной замедленной флуоресценцией

Радиационно-стимулированное и микроволновое геттерирование в НЕМТ на основе AlGaN/GaN и AlGaAs/GaAs гетероструктур

Устойчивость к внешним воздействиям гетероструктур Me/Ga2Se3/GaAs с барьером Шоттки

Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Сидоров, Евгений Николаевич
Публикация: (2010)

Магнитные осцилляции оптических и транспортных характеристик квантовых точек и колец автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Ковалев, Вадим Михайлович
Публикация: (2007)

Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических структур. 01.04.10
по: Борисенко, Сергей Иванович
Публикация: (2004)

Исследование контакта Au-ZrN-n- GaAs с барьером Шоттки

Получение свободных монокристаллических пленок в системе Bi-Ga-Al-As/GaAs
по: Оскомова, Н. В.

Динамика короткопериодичныхсверхрешеток GaSb/AlSb
по: Бауман, И.

Анализ электрических характеристик многослойной структуры для диода Ганна
по: Данилов, К. Ю.

Туннелирование электронов в структурах (GaAs)n/(AlAs)m(001) с тонкими слоями
по: Караваев, Геннадий Федорович

Исследование электрических характеристик БИС с использованием пористого кремния
по: Жолудев, Г. К.

Оптимизация конструкции проводящего слоя в зоне изгиба гибких органических светоизлучающих диодов
по: Ma, Liang

Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/AlAs методом численного эксперимента автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Сачков, Виктор Анатольевич
Публикация: (2011)

Анализ некоторых оптических и электрических свойств тройных алмазоподобных полупроводников A2 B4 C52 автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10
по: Борисенко, Сергей Иванович
Публикация: (1986)

Функциональные свойства гетероструктур монокристаллический кремний - неупорядоченный полупроводник
по: Тутов, Е. А.

Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряженных гетероструктур автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. 01.04.10
по: Принц, Виктор Яковлевич
Публикация: (2005)