Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур

Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур

Bibliographic Details
Published in:	Школа молодых ученых "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем", 14-16 декабря, Новосибирск, Интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов С. 19-20
Other Authors:	Войцеховский, Александр Васильевич, Несмелов, Сергей Николаевич, Дзядух, Станислав Михайлович, Копылова, Татьяна Николаевна, Дегтяренко, Константин Михайлович
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	МДП-структуры экспериментальные исследования адмиттанс пентацен статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000565536

Similar Items

Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SiO2

Адмиттанс многослойных органо-неорганических систем на основе пентацена в широком диапазоне температур

Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3

Адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ Hg1-xCdxTe (x = 0,21-0,23) в широком диапазоне температур

Электрические свойства органо-неорганических систем на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3

Electrophysical characteristics of the pentacene-based MIS structures with a SiO2 insulator

Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3

Адмиттанс тестовых МДП-приборов на основе nBn-структур из МЛЭ HgCdTe

Admittance of pentacene-based MIS-structures with two-layer insulator SiO2-Al2O3

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К

Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне

Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21...0,23) в диапазоне температур 9...77 К

Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3

Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами

Влияние освещения на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe

Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm

Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур

Влияние импульсного объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства МДП-структур на основе p-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23)
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями

Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ n-HgCdTe в конфигурации NBvN методом спектроскопии адмиттанса

Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe в широком диапазоне температур
by: Несмелов, Сергей Николаевич

Особенности моделирования частотных зависимостей адмиттанса МДП-структуры на основе органической пленки P3HT с диэлектрическим слоем Al2O3
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30)

Численное моделирование полупроводниковых устройств на основе пентацена
by: Курчин, Константин Николаевич

Электрические характеристики полевого транзистора на основе пентацена
by: Терещенко, Евгений Васильевич

Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Admittance of MIS structures based on graded-gap MBE HgCdTe with Al2O3 insulator

Impact of the graded-gap layer on the admittance of MIS structures based on MBE-grown n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) with the Al2O3 insulator

Адмиттанс МДП-приборов на основе теллурида кадмия ртути с одиночными квантовыми ямами теллурида ртути в активной области

Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ N-HgCdTe в конфигурации nBνN методом спектроскопии адмиттанса

Admittance of MIS structures based on nBn systems of epitaxial HgCdTe for detection in the 3-5 μm spectral range

Temperature and field dependences of parameters of the equivalent circuit elements of MIS structures based on MBE n-Hg0.775Cd0.225Te in the strong inversion mode
by: Voytsekhovskiy, Alexander V.

Admittance investigation of MIS structures with GgTe-based single quantum wells

Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур

Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells for optoelectronics devices

Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области

Влияние нанесения LiF на электрические характеристики тонких пленок пентацена
by: Терещенко, Евгений Васильевич

Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te