Анализ дифракционных картин при синтезе наногетероструктур Ge/Si

Анализ дифракционных картин при синтезе наногетероструктур Ge/Si

Библиографическая информация
Опубликовано в: :	Школа молодых ученых "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем", 14-16 декабря, Новосибирск, Интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов С. 23-24
Другие авторы:	Дирко, Владимир Владиславович, Лозовой, Кирилл Александрович, Коханенко, Андрей Павлович, Кукенов, Олжас Игоревич
Формат:	Статья в сборнике
Язык:	Russian
Предметы:	дифракция быстрых электронов эпитаксия германия кремниевые поверхности экспериментальные исследования статьи в сборниках
Online-ссылка:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000565537

Похожие документы

Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si(100) и Ge/Si(100)
по: Кукенов, Олжас Игоревич

Комплексная система обработки дифракционных картин в ДБЭО

Изменение характера осцилляций картин ДБОЭ в зависимости от температуры при синтезе Si на Si(100)
по: Ворсин, Олег Игоревич

Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов

Сближение ступеней на поверхности Si(100): эксперимент и моделирование

Анализ дифракционных картин при эпитаксиальном росте Si на Si(001) в направлениях пучка электронов [110] и [100]

Анализ длины димерного ряда при гетероэпитаксиальном росте Ge/Si(100) методом дифракции быстрых отраженных электронов
по: Кукенов, Олжас Игоревич

Изучение формирования ступенчатой поверхности Si(100) при молекулярно-лучевой эпитаксии
по: Есин, Михаил Юрьевич

МЛЭ нанокластеры GE на поверхности Si(100). Картины ДБЭ и АСМ-изображения
по: Торопов, Никита Александрович

Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge

Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11
по: Дирко, Владимир Владиславович
Публикация: (2022)

Влияние электронного пучка дифракции быстрых электронов на морфологию поверхности гетероструктур CaF2/Si(100)
по: Остертак, Д. И.

Применение метода дифракции быстрых отраженных электронов при молекулярно-лучевой эпитаксии учебно-методическое пособие : для аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов физико-математических факультетов
Публикация: (2023)

Peculiarities of the 7 × 7 to 5 × 5 superstructure transition during epitaxial growth of germanium on silicon (111) surface

Контроль эпитаксиального роста тонких пленок кремния и германия методами дифракции электронов и кварцевым измерителем толщины
по: Заяханов, Владимир Александрович

Controlling of Ge quantum dots arrays parameters in Ge/Si nanoheterostructures grown by molecular beam epitaxy method

Использование формализма матриц рассеяния в расчетах осцилляций зеркального рефлекса в дифракции на отражение при МЛЭ

Исследование эпитаксиального роста тонких пленок кремния и германия методами дифракции электронов и с помощью кварцевого измерителя толщины
по: Дирко, Владимир Владиславович

Динамика сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур по Странскому-Крастанову

Dispersive optical parameters of Ni(100) crystal and thermally evaporated nickel films

Investigation of the bimodal character of RHEED intensity oscillations during homoepitaxial growth of Si/Si(100)
по: Sokolov, А. S.

Экспериментальные методы физики твердого тела учебное пособие
по: Фомин, Дмитрий Владимирович
Публикация: (2019)

Studying the formation of Si (100) stepped surface in molecular-beam epitaxy

Моделирование поверхностной сегрегации Ge при молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов Ge-Si
по: Ишков, Арман Дмитриевич

Рост квантовых точек Ge на окисленной поверхности Si

Параметры фоточувствительных структур на основе наногетероструктур Ge/Si
по: Духан, Рахаф М. Х.

Morphology, structure, and optical properties of semiconductor films with GeSiSn nanoislands and strained layers

Введение в физику поверхности
Публикация: (2006)

Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации

Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами

Концентрация электронов в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.40), определенная из емкостных измерений МДП-структур

Реконструкция поверхности Ge 2хN на Si(100) в широком температурном диапазоне
по: Кукенов, Олжас Игоревич

Сверхструктурные изменения на начальных стадиях напыления Ge/Si(100) в широком интервале температур
по: Гнеушев, Анатолий Владимирович

Физическая электроника. Эмиссия и взаимодействие частиц с твердым телом учебное пособие
по: Владимиров, Георгий Георгиевич
Публикация: (2013)

Введение в физику поверхности
по: Праттон, Мартин
Публикация: (2000)

Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions

Структурно-фазовые превращения в полосе суперлокализации монокристаллов Ni3Ge
по: Соловьева, Юлия Владимировна 1970-

Температурная зависимость чувствительности к водороду структур Pb-SiOx-n-Si
по: Калыгина, Вера Михайловна

Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn

Пороговые характеристики кремниевого осциллистора
по: Гаман, Василий Иванович 1929-2021