LEADER 02540naa a2200697 c 4500
001 koha000567247
005 20240322185219.0
008 210623s1999 ru f 100 0 rus d
035 |a koha000567247 
039 9 |b 100  |c 202009240750  |d cat202  |y 202009240748  |z 26 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Особенности структуры монокристаллов GaAs, легированных кремнием, выращенных методом Чохральского из-под слоя флюса B2O3  |c В. Т. Бублик, К. Д. Щербачев, Е. В. Жевнеров, А. В. Марков 
504 |a Библиогр.: 6 назв. 
653 |a полупроводниковое материаловедение 
653 |a арсенид галлия 
653 |a монокристаллы арсенида галлия 
653 |a Чохральского метод 
653 |a кремний 
700 1 |a Бублик, Владимир Тимофеевич  |9 225629 
700 1 |a Щербачев, Кирилл Дмитриевич  |9 570476 
700 1 |a Жевнеров, Евгений Владимирович  |9 570477 
700 1 |a Марков, Александр Владимирович  |9 680123  |c физик 
773 0 |t Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"  |d Томск, 1999  |g С. 24-26  |w 0143-10460 
852 4 |a RU-ToGU 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=567247 
908 |a статья 
942 |2 udc 
999 |c 567247  |d 567247 
999 |d 567247 
999 |d 567243 
999 |d 567241 
999 |d 567197 
999 |d 567181 
999 |d 567170 
999 |d 567163 
999 |d 567161 
999 |d 567156 
999 |d 567090 
999 |d 567087 
999 |d 567083 
999 |d 567072 
999 |d 567054 
999 |d 567042 
999 |d 567034 
999 |d 567030 
999 |d 567029 
999 |d 567026 
999 |d 567025 
999 |d 567024 
999 |d 566942 
999 |d 566938 
999 |d 566936 
999 |d 566931 
999 |d 566931 
999 |d 566927 
999 |d 566923 
999 |d 566920 
999 |d 566916 
999 |d 566843 
999 |d 566835 
999 |d 469765