Оптимизация технологии формирования многоэлементных матричных ИК-фотоприемников на основе МЛЭ слоев CdxHg1-xТе

Оптимизация технологии формирования многоэлементных матричных ИК-фотоприемников на основе МЛЭ слоев CdxHg1-xТе

Bibliographic Details
Published in:	Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов С. 139
Main Author:	Талипов, Нияз Хатимович
Corporate Authors:	Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ, Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
Other Authors:	Войцеховский, Александр Васильевич
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	теллурид кадмия-ртути гетероэпитаксиальные слои травление ионно-лучевое ионная имплантация матричные фотоприемники статьи в сборниках
Online Access:	http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000520432 Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Влияние режимов ионно-лучевого травления на процесс радиационного нагрева CdxHg1-xTe
by: Талипов, Нияз Хатимович

О нагреве Cd0,22Hg0,78Te в процессе ионно-лучевого травления
by: Талипов, Нияз Хатимович

Ion etching of HgCdTe: Properties, patterns and use as a method for defect studies

Влияние воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на электрофизические свойства гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xТе
by: Талипов, Нияз Хатимович

Влияние состава варизонного слоя на формирование n+-n−-p-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe
by: Талипов, Нияз Хатимович

Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов
by: Данилин, Борис Степанович
Published: (1987)

Ионная имплантация в узкозонные твердые растворы CdxHg1–xTe
by: Талипов, Нияз Хатимович

Исследование воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на свойства поверхности гетероэпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe

Модельные представления формирования глубоких конвертированных слоев в р-CdxHg1-xTe при ионной имплантации
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Об особенностях эффекта Холла в МЛЭ и ЖФЭ гетероэпитаксиальных структурах n-CdxHg1-xTe в импульсном магнитном поле до 55 Тл
by: Талипов, Нияз Хатимович

Долговременная стабильность p-n переходов в МЛЭ гетероструктурах CdxHg1-xTe, сформированных ионным травлением

Низкотемпературная активация ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Динамика электрических свойств конвертированных при ионной имплантации и ионном травлении n-слоев в р-CdxHg1-xTe

Воздействие мощного импульсного ИК излучения на свойства гетероэпитаксиальных структур HgCdTe
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Разработка ИК-фотоприемников на основе эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе CdxHg1–xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Влияние режимов имплантации бора на параметры фотодиодов, сформированных в гетероэпитаксиальных слоях CdXHg1-XTe
by: Войцеховский, Александр Васильевич

Релаксация и долговременная стабильность МЛЭ CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением

О природе конверсии МЛЭ гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1-xTe в процессе отжига

Просветляющие интерференционные оксидные покрытия среднего ИК-диапазона для полупроводниковых оптических подложек

Фотоприемники на основе гетероэпитаксиальных структур HgCdTe

Background donor concentration in HgCdTe

Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников

Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией

Gas sensitivity of IBSD deposited TiO2 thin films

Влияние режимов горения дугового разряда низкого давления и генерируемой им газоразрядной плазмы на травление поверхности материалов

Ion implantation in narrow-gap CdxHg1-xTe solid solutions
by: Talipov, Niyaz Kh

Фотоэлектрические параметры эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом МЛЭ
by: Волков, А. И.

Влияние ионно-лучевого облучения пучком ZR+ на механические свойства стали 12Х1МФ

Long-term stability of electron concentration in HgCdTe-based p-n junctions fabricated with ion etching

Долговременная стабильность CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением

Методика расчета излучательных характеристик квантовых ям на основе CdxHg1-xTe
by: Горн, Дмитрий Игоревич

Просветляющие оптические покрытия нелинейных кристаллов ZnGeP2

Разработка тонкопленочного покрытия Nb2O5/SiO2 для зеркал резонатора параметрического генератора света на основе монокристалла ZnGeP2

Повышение квантовой эффективности ИК-фотоприемников на основе PtSi-Si
by: Несмелов, Сергей Николаевич

Релаксация электрофизических параметров n-слоев в МЛЭ эпитаксиальных пленках p-CdxHg1-xTe сформированных ионной имплантацией и ионным травлением

Multilayer antireflection optical coatings based on Nb, Si and Al oxides for nonlinear ZnGeP2 crystals

Лучевая прочность тонкопленочного покрытия Nb2O5/SiO2 для зеркал резонатора параметрического генератора света на основе монокристалла ZnGeP2

Учебное пособие по дисциплине "Плазменные технологии в наноэлектронике"
by: Голишников, Александр Анатольевич
Published: (2011)

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава
by: Войцеховский, Александр Васильевич