Влияние Г-X рассеяния на гетерограницах GaAs (001) туннелировании электронов в структурах AlAs/GaAs (111) ВАХ резонансно-туннельных структур
Published in: | Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП С. 85-87 |
---|---|
Main Author: | Воронков, А. А |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
XL-смешивание при туннелировании электронов в структурах AlAs/GaAs (111)
by: Караваев, Геннадий Федорович -
Туннелирование электронов в структурах GaAs/AlAs(001) с плавным потенциалом на гетерограницах
by: Гриняев, Сергей Николаевич -
Влияние собственного поля электронов и Г-Х междолинного рассеяния на резонансное туннелирование в двухбарьерных структурах
by: Воронков, А. А -
Туннелирование электронов в структурах GaAs/AlAs(111) с плавным потенциалом на гетерограницах
by: Гриняев, Сергей Николаевич -
Влияние проводимости базы на ВАХ диодных структур, сформированных диффузией Fe или Cr B GaAs
by: Будницкий, Давыд Львович