Влияние структурных дефектов на распределение нестехиометрического мышьяка в НТ МЛЭ InGaAs
Published in: | Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП С. 98-100 |
---|---|
Other Authors: | Ивонин, Иван Варфоломеевич, Лаврентьева, Людмила Германовна 1931-2008, Субач, Сергей Владимирович, Гутаковский, Антон Константинович, Преображенский, Валерий Владимирович |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Наноразмерные кластеры мышьяка в GaAs
by: Чалдышев, Владимир Викторович - Электрические и оптические свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах
-
Глубокие уровни тетраэдрических кластеров из атомов мышьяка и галлия в арсенида галлия
by: Чалдышев, Виктор Александрович 1929-2008 -
Низкотемпературная молекулярно-лучевая эпитаксия арсенида галлия и твердых растворов на его основе: структура и свойства слоев
by: Лаврентьева, Людмила Германовна 1931-2008 - Влияние примеси Si на захват избыточного мышьяка и свойства GaAs, выращенного методом МЛЭ при низких температурах