Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоев n-GaAs Диссертационная работа на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10

Bibliographic Details
Main Author:	Ардышев, Михаил Вячеславович
Corporate Author:	Томский государственный университет
Format:	Book
Language:	Russian
Published:	Томск 2000
Subjects:	диссертации. полупроводники легированные. твердые тела. поверхностные явления в полупроводниках электронно-дырочная плазма. термоионизация полупроводников диффузия в полупроводниках некогерентные источники света. фотонное излучение. лазерное излучение. термический отжиг быстрый. лазерный отжиг. электронный отжиг. электронные пучки. радиационно-термические технологии (полупроводники). имплантированные слои. полупроводниковые структуры. электроны. напряжения. ионизация. арсенид галлия. ионная имплантация. электроактивация.
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ


LEADER	02875nam a2200529 4500
001	vtls000076257
003	RU-ToGU
005	20210910114232.0
008	000828s2000 ru a f b 000 0 rus d
035			\|a 0079-31460
039		9	\|a 201111221908 \|c 200601031308 \|d VLOAD \|y 200511061327 \|z Александр Эльверович Гилязов
040			\|a RU-ToGU \|b rus \|c RU-ToGU \|e PSBO
080			\|a 537.311.322:539.219.3(043.3)
080			\|a 539.219.3:537.58(043.3)
100	1		\|a Ардышев, Михаил Вячеславович. \|9 165529
245	1	0	\|a Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоев n-GaAs \|b Диссертационная работа на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10 \|c Науч. рук. С. С. Хлудков; Том. гос. ун-т
260			\|a Томск \|c 2000 \|9 687986
300			\|a 150 л. \|b ил.
504			\|a Библиогр.: л. 142-149
653			\|a диссертации.
653			\|a полупроводники легированные.
653			\|a твердые тела.
653			\|a поверхностные явления в полупроводниках
653			\|a электронно-дырочная плазма.
653			\|a термоионизация полупроводников
653			\|a диффузия в полупроводниках
653			\|a некогерентные источники света.
653			\|a фотонное излучение.
653			\|a лазерное излучение.
653			\|a термический отжиг быстрый.
653			\|a лазерный отжиг.
653			\|a электронный отжиг.
653			\|a электронные пучки.
653			\|a радиационно-термические технологии (полупроводники).
653			\|a имплантированные слои.
653			\|a полупроводниковые структуры.
653			\|a электроны.
653			\|a напряжения.
653			\|a ионизация.
653			\|a арсенид галлия.
653			\|a ионная имплантация.
653			\|a электроактивация.
710	2		\|a Томский государственный университет. \|9 53646
852	4		\|a RU-ToGU \|h 1-838324к \|i 537 \|n ru
856			\|y Перейти в каталог НБ ТГУ \|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=68920
999			\|c 68920 \|d 68920
952			\|0 0 \|1 0 \|4 0 \|6 1838324К \|7 0 \|9 144305 \|a RU-ToGU \|b RU-ToGU \|c 10024 \|d 2021-04-02 \|g 50.00 \|l 0 \|o 1-838324к \|p 13820000197596 \|r 2021-04-02 \|t 1 \|w 2021-04-02 \|y 1

Similar Items