Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоев n-GaAs Диссертационная работа на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10
Main Author: | Ардышев, Михаил Вячеславович |
---|---|
Corporate Author: | Томский государственный университет |
Format: | Book |
Language: | Russian |
Published: |
Томск
2000
|
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Влияние лазерного отжига на электрические характеристики структур металл-диэлектрик-GaAs
by: Глушко, Н. О. -
Зависимость свойств ионно-легированных слоев GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига
by: Ардышев, Михаил Вячеславович -
Ядерно-легированные и радиационно-модифицированные полупроводники - материалы XXI века
by: Колин, Николай Георгиевич - Влияние УФ-излучения на поверхностные процессы монокристаллов антрацена
-
Аморфные полупроводники
Published: (1982)