Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоев n-GaAs Диссертационная работа на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10

Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоев n-GaAs Диссертационная работа на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10

Bibliographic Details
Main Author: Ардышев, Михаил Вячеславович
Corporate Author: Томский государственный университет
Format: Book
Language:Russian
Published: Томск 2000
Subjects:
диссертации.
полупроводники легированные.
твердые тела.
поверхностные явления в полупроводниках
электронно-дырочная плазма.
термоионизация полупроводников
диффузия в полупроводниках
некогерентные источники света.
фотонное излучение.
лазерное излучение.
термический отжиг быстрый.
лазерный отжиг.
электронный отжиг.
электронные пучки.
радиационно-термические технологии (полупроводники).
имплантированные слои.
полупроводниковые структуры.
электроны.
напряжения.
ионизация.
арсенид галлия.
ионная имплантация.
электроактивация.
Online Access:Перейти в каталог НБ ТГУ

Similar Items

Similar Items