LEADER 02201naa a2200397 4500
001 koha000701829
008 210706s1999 ru f 10 0 rus d
035 |a koha000701829 
039 |z 26  |b 100 
040 |a RU-ToGU  |b rus  |c RU-ToGU 
245 1 0 |a Интегральные схемы на основе арсенида галлия, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии  |c В. В. Чалдышев, М. А. Путято, Б. Р. Семянгин [и др.]  
653 |a арсенид галлия 
653 |a полупроводниковое материалы 
653 |a эпитаксиальные структуры 
653 |a молекулярно-лучевая эпитаксия 
653 |a интегральные схемы 
653 |a полевые транзисторы 
653 |a Шоттки барьер 
653 |a эпитаксиальные пленки 
700 1 |a Чалдышев, Владимир Викторович  |9 379173 
700 1 |a Путято, Михаил Альбертович  |9 566847 
700 1 |a Семянгин, Б. Р.  |9 678920 
700 1 |a Преображенский, Валерий Владимирович  |9 86737 
700 1 |a Пчеляков, Олег Петрович  |9 86571 
700 1 |a Хан, А. В  |9 659359 
700 1 |a Канаев, В. Г  |9 659358 
700 1 |a Широкова, Л. С.  |9 678921 
700 1 |a Голиков, А. В.  |9 678922 
700 1 |a Кагадей, Валерий Алексеевич  |9 378972 
700 1 |a Лиленко, Ю. В  |9 353582 
700 1 |a Карпович, Нина Васильевна  |9 678923 
773 0 |t Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП  |d Томск, 1999  |g С. 169-171  |w 0143-10460 
852 4 |a RU-ToGU  |n ru 
856 |y Перейти в каталог НБ ТГУ  |u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=701829 
908 |a статья 
999 |c 701829  |d 701829