|
|
|
|
| LEADER |
01690naa a2200301 4500 |
| 001 |
koha000701845 |
| 008 |
210706s1999 ru f 10 0 rus d |
| 035 |
|
|
|a koha000701845
|
| 039 |
|
|
|z 26
|b 100
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Арсенид-галлиевые микроструктуры с высоким аспектным отношением, применение в ядерной технике (технология и применение)
|c В. Г. Канаев, С. В. Литвин, Н. А. Тимченко [и др.]
|
| 504 |
|
|
|a Библиогр.: 2 назв.
|
| 653 |
|
|
|a арсенид галлия
|
| 653 |
|
|
|a полупроводниковое материалы
|
| 653 |
|
|
|a микроструктуры
|
| 653 |
|
|
|a высокое аспектное отношение
|
| 653 |
|
|
|a ядерная техника
|
| 700 |
1 |
|
|9 659358
|a Канаев, В. Г
|
| 700 |
1 |
|
|a Литвин, С. В.
|9 678965
|
| 700 |
1 |
|
|a Тимченко, Николай Алексеевич
|9 181241
|
| 700 |
1 |
|
|a Юрченко, Василий Иванович
|9 218992
|
| 700 |
1 |
|
|a Забаев, В. М.
|9 678966
|
| 700 |
1 |
|
|a Углов, С. Р.
|9 678967
|
| 773 |
0 |
|
|t Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП
|d Томск, 1999
|g С. 186-187
|w 0143-10460
|
| 852 |
|
4 |
|a RU-ToGU
|n ru
|
| 856 |
|
|
|y Перейти в каталог НБ ТГУ
|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=701845
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 999 |
|
|
|c 701845
|d 701845
|
