Арсенид-галлиевые микроструктуры с высоким аспектным отношением, применение в ядерной технике (технология и применение)
Published in: | Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП С. 186-187 |
---|---|
Other Authors: | Канаев, В. Г, Литвин, С. В., Тимченко, Николай Алексеевич, Юрченко, Василий Иванович, Забаев, В. М., Углов, С. Р. |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Арсенид галлия - как материал для микромеханики
by: Юрченко, Василий Иванович -
Формирование свободных сверхтонких пленок GaAs и их применение в микромеханике
by: Принц, Виктор Яковлевич - Монолитные и квазимонолитные модули и устройства мм-диапазона на основе арсенид галлиевых МИС
-
Частотная зависимость поверхностной проводимости полуизолирующего арсенида галлия
by: Лисюк, Ю. В -
GaAs маска для нанолитографии
by: Принц, Виктор Яковлевич