Моделирование эпитаксиального формирования двумерных материалов на основе кремния и германия
В настоящей работе строится физико-математическая модель эпитаксиального синтеза на различных подложках двумерных материалов IV группы — силицена и германена. Рассматриваются различные стадии формирования двумерного слоя толщиной от одного до нескольких монослоев, а также появления двумерных островк...
| Published in: | Нанофизика и наноэлектроника : труды XXV Международного симпозиума, 9-12 марта 2021 г., Нижний Новгород Т. 2 : Секция 3. С. 743 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | , |
| Format: | Book Chapter |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000702774 |
| Summary: | В настоящей работе строится физико-математическая модель эпитаксиального синтеза на различных подложках двумерных материалов IV группы — силицена и германена. Рассматриваются различные стадии формирования двумерного слоя толщиной от одного до нескольких монослоев, а также появления двумерных островков. Особое внимание уделяется установлению возможностей преодоления нуклеации островков и предотвращения нежелательного перехода от двумерного к трехмерному росту. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 4 назв. |