Моделирование эпитаксиального формирования двумерных материалов на основе кремния и германия - Лозовой, Кирилл Александрович (Нанофизика и наноэлектроника : труды XXV Международного симпозиума, 9-12 марта 2021 г., Нижний Новгород)
В настоящей работе строится физико-математическая модель эпитаксиального синтеза на различных подложках двумерных материалов IV группы — силицена и германена. Рассматриваются различные стадии формирования двумерного слоя толщиной от одного до нескольких монослоев, а также появления двумерных островков. Особое внимание уделяется установлению возможностей преодоления нуклеации островков и предотвращения нежелательного перехода от двумерного к трехмерному росту.