Изучение процесса выращивания и характеристик эпитаксиальных структур на основе AlxGa1-xSb автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07
Main Author: | Гермогенов, Валерий Петрович |
---|---|
Corporate Author: | Томский государственный университет |
Format: | Book |
Language: | Russian |
Published: |
Томск
[б. и.]
1980
|
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Изучение процесса выращивания и характеристик эпитаксиальных структур на основе AlxGa1-xSb диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07
by: Гермогенов, Валерий Петрович
Published: (1980) - Инверсные слои в структурах на основе AlxGa1-xSb
-
Тензоэлектросопротивление эпитаксиальных пленок ALxGa1-xAs n-типа проводимости
by: Гриняев, Сергей Николаевич -
Туннельный ток в двухбарьерных гетероструктурах GaN/AlxGa1-x N(0001) и GaAs/AlxGa1-x As(001)
by: Разжувалов, Александр Николаевич -
Распределение поверхностного потенциала на гетерогранице AlxGa1-xAs
by: Брудный, Павел Александрович