Формирование наноразмерных T-образных затворов с использованием метода направленного углового напыления тонких пленок алюминия
Представлена технология изготовления Т-образных затворов GaAs-транзисторов с использованием оптической литографии и уникального метода направленного углового напыления тонких алюминиевых пленок. Минимальная длина ножки Т-образного затвора, сформированного по разработанной технологии, составила Lg...
Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 64, № 2. С. 63-68 |
---|---|
Main Author: | Кулинич, Иван Владимирович |
Other Authors: | Казимиров, Артем Игоревич, Шестериков, Евгений Викторович |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000720896 Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Microplasma breakdown in GaAs-based avalanche S-diodes doped with deep Fe acceptors
by: Prudaev, Ilya A. -
Исследование времени задержки лавинных S-диодов на основе GaAs с глубокими примесными центрами
by: Гальченко, Регина Аркадьевна -
Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ
by: Лаврентьева, Людмила Германовна 1931-2008 -
Гетероструктура ZnS - GaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Атакова, М. М.
Published: (1974) -
Разработка высоковольтного импульсного драйвера для электрооптических затворов
by: Важинский, О. Т.