Влияние электрического поля на фотопроводимость в монокристаллах р-GaSe
При различных внешних и внутрикристаллических условиях (при разных температурах, напряженностях электрического поля, исходных значениях темнового удельного сопротивления образца, содержании, а также химической природе введенной редкоземельной примеси) исследовано влияние гальванически приложенног...
| Published in: | Известия высших учебных заведений. Физика Т. 64, № 2. С. 76-81 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000720902 Перейти в каталог НБ ТГУ |
| Summary: | При различных внешних и внутрикристаллических условиях (при разных температурах, напряженностях электрического поля, исходных значениях темнового удельного сопротивления образца, содержании, а также химической природе введенной редкоземельной примеси) исследовано влияние гальванически приложенного электрического поля на собственную фотопроводимость в монокристаллах селенида галлия (p-GaSe). Установлено, что фотопроводимость в образцах нелегированных монокристаллов p-GaSe с исходным (имеющим место при Т = 77 К) темновым удельным сопротивлением ρт0 ≤ 4·104 Ом·см и легированных редкоземельными элементами (диспрозием и эрбием) с процентным содержанием NРЗЭ ≥ 10-2 ат. % не зависит от напряженности электрического поля. А в образцах нелегированных монокристаллов с ρт0 > 105 Ом·см и легированных с NРЗЭ < 10-2 ат. % при Т ≤ 250 К и слабых освещенностях фотопроводимость зависит от напряженности электрического поля. Обнаруженное влияние электрического поля на фотопроводимость в исследуемых образцах монокристаллов p-GaSe объяснено электрическим спрямлением флуктуации электронного потенциала свободных энергетических зон, обусловленной наличием в них случайных макроскопических дефектов. |
|---|---|
| Bibliography: | Библиогр.: 8 назв. |
| ISSN: | 0021-3411 |