|
|
|
|
| LEADER |
01832naa a2200301 c 4500 |
| 001 |
koha000720921 |
| 005 |
20211117145852.0 |
| 008 |
211108s2002 ru f 100 0 rus d |
| 035 |
|
|
|a koha000720921
|
| 039 |
|
|
|z 26
|b 26
|
| 040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
| 245 |
1 |
0 |
|a Молекулярно-лучевая эпитаксия GaAs при низких температурах: влияние избыточного мышьяка и легирующих примесей на структуру и свойства слоев
|c Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, В. В. Преображенский, В. В. Чалдышев
|
| 653 |
|
|
|a полупроводниковые материалы
|
| 653 |
|
|
|a полупроводники
|
| 653 |
|
|
|a молекулярно-лучевая эпитаксия
|
| 653 |
|
|
|a арсенид галлия
|
| 653 |
|
|
|a мышьяк
|
| 653 |
|
|
|a труды ученых ТГУ
|
| 700 |
1 |
|
|a Лаврентьева, Людмила Германовна
|9 63851
|d 1931-2008
|
| 700 |
1 |
|
|a Вилисова, Мария Дмитриевна
|9 82324
|
| 700 |
1 |
|
|a Преображенский, Валерий Владимирович
|9 86737
|
| 700 |
1 |
|
|a Чалдышев, Владимир Викторович
|9 379173
|
| 773 |
0 |
|
|t Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции
|d Томск, 2002
|g С. 12-14
|w 0183-75860
|
| 852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|n ru
|
| 856 |
|
|
|y Перейти в каталог НБ ТГУ
|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=720921
|
| 908 |
|
|
|a статья
|
| 942 |
|
|
|2 udc
|
| 999 |
|
|
|c 720921
|d 720921
|
