Electrophysical parameters of doped InSb microcrystals

Bibliographic Details
Published in:	Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 51-54
Other Authors:	Terra, F. S., Fahim, G. M. M, Bolshakova, I., Moskovets, T.
Format:	Book Chapter
Language:	English
Subjects:	полупроводниковые приборы легированные микрокристаллы электрофизические параметры антимонид индия
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ


LEADER	01359naa a2200289 c 4500
001	koha000720992
005	20211109110341.0
008	211109s2002 ru f 100 0 eng d
035			\|a koha000720992
039			\|z 26 \|b 26
040			\|a RU-ToGU \|b rus \|c RU-ToGU
245	1	0	\|a Electrophysical parameters of doped InSb microcrystals \|c F. S. Terra, G. M. M. Fahim, I. Bolshakova, T. Moskovets
504			\|a Библиогр: 2 назв.
653			\|a полупроводниковые приборы
653			\|a легированные микрокристаллы
653			\|a электрофизические параметры
653			\|a антимонид индия
700	1		\|9 379234 \|a Terra, F. S.
700	1		\|9 379235 \|a Fahim, G. M. M
700	1		\|a Bolshakova, I. \|9 762016
700	1		\|a Moskovets, T. \|9 762017
773	0		\|t Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции \|d Томск, 2002 \|g С. 51-54 \|w 0183-75860
852	4		\|a RU-ToGU \|n ru
856			\|y Перейти в каталог НБ ТГУ \|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=720992
908			\|a статья
942			\|2 udc
999			\|c 720992 \|d 720992

Similar Items