Electrophysical parameters of doped InSb microcrystals
Published in: | Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 51-54 |
---|---|
Other Authors: | Terra, F. S., Fahim, G. M. M, Bolshakova, I., Moskovets, T. |
Format: | Book Chapter |
Language: | English |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
- Investigation of indium antimonide microcrystals irradiated with fast neutrons
-
The anomalous phenomena in thin InSb films as a way to make the effective semiconductor devices
by: Nikol'sky, Yu. A. -
Влияние облучения ионами водорода на электрофизические свойства металлургически и ядерно-легированного InSb
by: Брудный, Валентин Натанович -
Адсорбция фтора и коадсобрция фтора и кислорода на In-обогащенной поверхности InSb(111)
by: Фукс, Артем Андреевич -
Исследование инерционности фотоотклика антимонида индия при температуре 77 ??? К
by: Тюльков, Геннадий Иванович