Антиструктурные дефекты и прыжковая проводимость в GaAs при высоких температурах

Bibliographic Details
Published in:	Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 91-93
Main Author:	Кухто, О. Л
Other Authors:	Колин, Николай Георгиевич
Format:	Book Chapter
Language:	Russian
Subjects:	полупроводниковые приборы арсенид галлия антиструктурные дефекты высокие температуры прыжковая проводимость экспериментальные исследования
Online Access:	Перейти в каталог НБ ТГУ


LEADER	01509naa a2200289 c 4500
001	koha000721154
005	20211124162633.0
008	211110s2002 ru f 100 0 rus d
035			\|a koha000721154
039			\|z 26 \|b 26
040			\|a RU-ToGU \|b rus \|c RU-ToGU
100	1		\|9 379240 \|a Кухто, О. Л
245	1	0	\|a Антиструктурные дефекты и прыжковая проводимость в GaAs при высоких температурах \|c О. Л. Кухто, Н. Г. Колин
504			\|a Библиогр.: 5 назв.
653			\|a полупроводниковые приборы
653			\|a арсенид галлия
653			\|a антиструктурные дефекты
653			\|a высокие температуры
653			\|a прыжковая проводимость
653			\|a экспериментальные исследования
700	1		\|a Колин, Николай Георгиевич \|9 180598
773	0		\|t Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции \|d Томск, 2002 \|g С. 91-93 \|w 0183-75860
852	4		\|a RU-ToGU \|n ru
856			\|y Перейти в каталог НБ ТГУ \|u https://koha.lib.tsu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=721154
908			\|a статья
942			\|2 udc
999			\|c 721154 \|d 721154

Similar Items