Антиструктурные дефекты и прыжковая проводимость в GaAs при высоких температурах
Published in: | Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 91-93 |
---|---|
Main Author: | Кухто, О. Л |
Other Authors: | Колин, Николай Георгиевич |
Format: | Book Chapter |
Language: | Russian |
Subjects: | |
Online Access: | Перейти в каталог НБ ТГУ |
Similar Items
-
Основные антиструктурные дефекты в GaAs
by: Кухто, О. Л -
Особенности некоторых физических свойств GaAs при концентрации 10¹⁸ смˉ³. Возможное влияние АСД GaAs
by: Кухто, О. Л -
Термодинамика антиструктурных дефектов в GaAs
by: Кухто, О. Л -
Кривые ликвидуса и солидуса для GaAs. Определяющее влияние антиструктурных дефектов на стехиометрию GaAs
by: Кухто, О. Л -
Формирование комплексов с антиструктурными дефектами AsGa в монокристаллах арсенида галлия
by: Литвинова, Марина Борисовна