|
|
|
|
LEADER |
04760nab a2200433 c 4500 |
001 |
koha000721220 |
005 |
20241128121915.0 |
007 |
cr | |
008 |
211111|2021 ru s c rus d |
024 |
7 |
|
|a 10.17223/00213411/64/9/3
|2 doi
|
035 |
|
|
|a koha000721220
|
040 |
|
|
|a RU-ToGU
|b rus
|c RU-ToGU
|
245 |
1 |
0 |
|a Двумерные материалы на основе элементов группы IVA: последние достижения в эпитаксиальных методах синтеза
|c К. А. Лозовой, В. В. Дирко, В. П. Винарский [и др.]
|
336 |
|
|
|a Текст
|
337 |
|
|
|a электронный
|
504 |
|
|
|a Библиогр.: 70 назв.
|
520 |
3 |
|
|a Двумерные материалы стали одной из центральных тем исследования ученых по всему миру после получения графена – моноатомного слоя углерода. В настоящее время двумерные кристаллы рассматриваются в качестве одних из самых перспективных материалов для наноэлектроники и фотоники следующего поколения. Исследование возможностей создания приборов на основе 2D-материалов позволяет глубже изучить физические свойства этих новых материалов и дает отправную точку для развития огромного числа практически важных областей. Последние несколько лет повышенное внимание исследователей привлекают графеноподобные материалы элементов группы IVA, такие как силицен (Si), германен (Ge), станен (Sn) и плюмбен (Pb). Экспериментальное получение и изучение уникальных свойств двумерных моноатомных слоев углерода, кремния, германия, олова и свинца на различных подложках создало предпосылки для разработки приборов нового поколения на их основе. Широкие возможности по управлению их экзотическими электронными, магнитными и оптическими свойствами за счет выбора подложки, состава и геометрии двумерного слоя, а также за счет управления величиной упругих напряжений сделали их центральной темой для изучения в сфере нанотехнологий и наук о материалах. В настоящей работе проводится обзор последних достижений в области выращивания силицена, германена, станена и плюмбена эпитаксиальными методами. Особое внимание уделяется технологическим режимам роста, обеспечивающим получение высококачественных бездефектных двумерных структур большой площади, необходимых для перспективных приборных применений.
|
653 |
|
|
|a 2D-кристаллы
|
653 |
|
|
|a кремний
|
653 |
|
|
|a германий
|
653 |
|
|
|a олово
|
653 |
|
|
|a свинец
|
653 |
|
|
|a силицен
|
653 |
|
|
|a германен
|
653 |
|
|
|a станен
|
653 |
|
|
|a плюмбен
|
653 |
|
|
|a молекулярно-лучевая эпитаксия
|
655 |
|
4 |
|a статьи в журналах
|
700 |
1 |
|
|a Лозовой, Кирилл Александрович
|
700 |
1 |
|
|a Дирко, Владимир Владиславович
|
700 |
1 |
|
|a Винарский, Владимир Петрович
|
700 |
1 |
|
|a Коханенко, Андрей Павлович
|
700 |
1 |
|
|a Войцеховский, Александр Васильевич
|
700 |
1 |
|
|a Акименко, Наталья Юрьевна
|
773 |
0 |
|
|t Известия высших учебных заведений. Физика
|d 2021
|g Т. 64, № 9. С. 3-10
|x 0021-3411
|w 0026-80960
|
852 |
4 |
|
|a RU-ToGU
|
856 |
4 |
|
|u http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/koha:000721220
|
908 |
|
|
|a статья
|
999 |
|
|
|c 721220
|d 721220
|